第186章N-漂移层
高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求
对于他来说,目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了
而且他用的技术也并非纯正的离子注入,正如之前有弹幕说的
他使用的是离子掺杂,而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’
第186章N-漂移层
我有个无敌系统:第331章 终成无敌神豪【全书完】 发表于 2018-09-11 11:10:00高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求
我的夫人与女帝互换了灵魂:第一百一十章 一次值得的冒险 发表于 2021-10-17 19:31:16对于他来说,目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了
美漫之融合:430.离去与序曲(大结局) 发表于 2022-01-25 12:36:44而且他用的技术也并非纯正的离子注入,正如之前有弹幕说的
伪装学渣:伪装学渣_223 发表于 2023-05-01 08:06:00他使用的是离子掺杂,而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’
潜轨者:第三十五章 心路历程 第一部路完 ) 发表于 2020-09-10 11:06:43